中國江蘇張家港市企業(yè)多維科技（Multi-Dimension Technology，MDT）于2026年7月14日正式發(fā)布HFM2905高頻磁場探頭。該產(chǎn)品面向電子研發(fā)、工業(yè)測試與高校實驗室場景，填補其USB磁力計系列在高頻段的空白，可對直流至1.6MHz范圍內(nèi)的動態(tài)磁場信號進行實時波形捕獲與解析，無需外接電源，直接通過標準USB口供電。

HFM2905核心性能參數(shù)明確：測量帶寬覆蓋DC–1.6MHz，磁場振幅量程為0.1–2高斯（G），具備標準BNC模擬輸出接口，可直連示波器或數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)（DAQ）；內(nèi)置可調(diào)增益（1×/2×/5×/10×/20×）與三檔低通濾波器（1kHz/100kHz/1.6MHz），支持不同強度與頻率特征的信號適配；整機采用緊湊型USB供電設計，尺寸便于手持與嵌入式部署。值得注意的是，MDT為其配套專用校準治具，內(nèi)含精密微帶線與電流互感器（CT），允許用戶在現(xiàn)場完成快速校準，保障測量結果的可追溯性與長期穩(wěn)定性。

該探頭的技術實現(xiàn)依托MDT自研TMR（隧道磁阻）傳感芯片——區(qū)別于傳統(tǒng)霍爾或AMR傳感器，TMR技術在高頻響應、信噪比及微弱磁場靈敏度上具有固有優(yōu)勢。HFM2905并非簡單提升帶寬，而是通過優(yōu)化磁芯結構、信號調(diào)理電路與屏蔽布局，在保持0.1GZui低檢測限的同時，將上限擴展至1.6MHz，突破多數(shù)商用低頻磁力計（通常限于10kHz以內(nèi)）的觀測瓶頸。這意味著工程師能直接捕捉開關電源MOSFET開通/關斷瞬間的磁場尖峰、電機相電流突變引發(fā)的漏磁振蕩、或無線充電線圈諧振過程中的瞬態(tài)耦合場，而無需依賴間接推算或復雜建模。

EMI/EMC調(diào)試與功率器件驗證場景適用性

在電源與功率電子領域，HFM2905可替代部分需搭配昂貴矢量網(wǎng)絡分析儀（VNA）或定制探頭的EMI近場掃描方案。例如，針對30–300MHz頻段的傳導干擾溯源，傳統(tǒng)方法常需將電流探頭套在導線上測電流，再換算磁場；而HFM2905可直接貼合PCB走線或電感表面，以μs級時間分辨率捕獲局部磁場瞬變，定位開關噪聲源位置更直觀。對于IGBT/SiC模塊驅(qū)動環(huán)路、變壓器繞組間耦合、或共模電感飽和行為評估，其1.6MHz帶寬足以覆蓋典型硬開關邊沿（tr/tf < 100ns）對應的頻譜能量主瓣，避免因帶寬不足導致波形失真與峰值誤判。

采購與產(chǎn)線集成需關注三項實操條件

中國B2B用戶在選型時需注意三點：第一，BNC模擬輸出雖兼容主流示波器與DAQ卡，但若用于自動化測試系統(tǒng)，需確認后端設備采樣率是否≥3.2MS/s（奈奎斯特準則），否則高頻成分將產(chǎn)生混疊；第二，USB供電模式簡化布線，但實際功耗未公開，若接入USB 2.0端口（Zui大供電480mA），建議核查滿量程輸出時的電流需求，避免電壓跌落影響精度；第三，校準治具雖支持現(xiàn)場操作，但其微帶線結構對環(huán)境溫濕度敏感，MDT未說明校準有效期，用戶若用于產(chǎn)線例行檢測，應建立定期復核機制，或比對已知標準磁場源。

• 核對示波器/DAQ設備輸入阻抗是否匹配50Ω（HFM2905標稱輸出阻抗），避免反射失真
• 確認被測對象磁場空間梯度是否超出探頭有效感應區(qū)（直徑約3mm），強梯度場易致非線性誤差
• 留意0.1–2G量程限制：高于2G需外置衰減器，低于0.1G則建議改用MDT其他TMR低場探頭型號

MDT總部位于江蘇張家港，擁有自主TMR芯片產(chǎn)線，已在深圳、成都、寧波及東京、新加坡、美國圣何塞設分支機構。其TMR技術路線聚焦高可靠性與成本可控性，HFM2905即基于該平臺量產(chǎn)工藝開發(fā)，非實驗室原型。日本市場對該類高頻磁探頭需求集中于功率半導體封裝驗證與車載OBC（車載充電機）EMC預掃，而中國客戶更多應用于光伏逆變器拓撲優(yōu)化、服務器VRM（電壓調(diào)節(jié)模塊）噪聲抑制及無線充電Qi標準合規(guī)性測試。當前同類進口產(chǎn)品（如Langer EMV、Tektronix）多為模塊化系統(tǒng)，單價超5萬元人民幣，HFM2905定位中端便攜方案，有望降低高頻磁測量門檻，尤其利于中小研發(fā)團隊與高校實驗室高頻電磁場教學實驗開展。