英偉達(dá)正式公布面向下一代AI數(shù)據(jù)中心的溫水液冷技術(shù)路線：在Rubin架構(gòu)平臺中，將全面采用Zui高溫度達(dá)45°C的水-丙二醇混合冷卻液，在密閉管路內(nèi)循環(huán)，直接接觸GPU吸熱后經(jīng)干式冷卻器散熱。該方案并非簡單提高進(jìn)水溫度，而是對GPU封裝、導(dǎo)熱界面材料、冷板結(jié)構(gòu)、服務(wù)器內(nèi)部流道、CDU（冷卻分配單元）及外部散熱設(shè)備進(jìn)行全棧協(xié)同設(shè)計(jì)，旨在緩解全球AI基建爆發(fā)引發(fā)的水資源爭議。

當(dāng)前主流數(shù)據(jù)中心普遍依賴?yán)鋮s塔蒸發(fā)散熱，每兆瓦IT負(fù)載年均耗水約100萬升，且需持續(xù)補(bǔ)入新水——這在美國內(nèi)華達(dá)州、智利阿塔卡馬、中東等地已觸發(fā)地方政府限水令與社區(qū)抗議。而英偉達(dá)新方案因冷卻液全程封閉循環(huán)，理論上可將補(bǔ)水需求壓縮至接近零，僅需定期補(bǔ)充微量揮發(fā)損失。其核心突破在于放棄傳統(tǒng)‘低溫?fù)Q熱’邏輯，轉(zhuǎn)而通過提升冷卻液溫度換取系統(tǒng)整體水效優(yōu)化：不再依賴大型冷水機(jī)組制造7–12°C冷凍水，也規(guī)避了冷卻塔蒸發(fā)環(huán)節(jié)，從而同步削減電力與水資源消耗。

但45°C并非技術(shù)上限的妥協(xié)，而是系統(tǒng)再設(shè)計(jì)的起點(diǎn)。測試表明，若僅將現(xiàn)有風(fēng)冷或冷板式液冷服務(wù)器的進(jìn)水溫度從18°C提升至45°C，GPU結(jié)溫將飆升至105°C以上，觸發(fā)降頻甚至關(guān)機(jī)。英偉達(dá)實(shí)際方案要求GPU封裝內(nèi)嵌高導(dǎo)熱率金屬熱柱（metal thermal pillars）、采用低熱阻相變導(dǎo)熱膏替代硅脂、冷板與芯片間實(shí)現(xiàn)微米級貼合公差，并將整個(gè)服務(wù)器機(jī)柜設(shè)計(jì)為壓力均衡的流體腔體。這意味著中國OEM廠商若要集成該方案，無法僅采購單顆GPU模組，而需獲取整機(jī)參考設(shè)計(jì)（包括機(jī)械結(jié)構(gòu)圖、流體壓損模型、CDU接口協(xié)議），并對自身散熱模組產(chǎn)線進(jìn)行精度升級。

該技術(shù)對下游應(yīng)用的影響呈現(xiàn)兩面性。在超大規(guī)模云服務(wù)商場景中，45°C液冷可顯著降低PUE（電源使用效率）中的冷卻占比——當(dāng)前行業(yè)平均PUE為1.55，其中冷卻系統(tǒng)占35%以上；采用干式冷卻器替代冷卻塔后，PUE有望壓至1.15以下。但需注意，GPU芯片在高溫下漏電流增加，同等算力下功耗可能上升8–12%，因此整體能效提升取決于冷卻節(jié)電與芯片增耗的凈平衡。日本東京大學(xué)數(shù)據(jù)中心實(shí)測數(shù)據(jù)顯示，當(dāng)GPU結(jié)溫從75°C升至92°C時(shí)，ResNet-50訓(xùn)練任務(wù)的每瓦特AI算力（TOPS/W）下降約6.3%，這要求用戶在部署時(shí)必須重新校準(zhǔn)算力交付模型，而非簡單套用舊有能效指標(biāo)。

值得注意的是，該液冷方案與英偉達(dá)同期發(fā)布的兩款CPU形成技術(shù)呼應(yīng)：面向AI數(shù)據(jù)中心的Vera處理器（450W TDP，88核Olympus定制架構(gòu)）與面向高端工作站的GB10芯片（140W TDP，10核Cortex-X925+A725混合架構(gòu)）。Phoronix基準(zhǔn)測試顯示，Vera在多線程編譯任務(wù)中速度是GB10的6.8倍，Stream內(nèi)存帶寬測試高出2.3倍，印證其為高密度液冷環(huán)境深度優(yōu)化——其封裝背面集成微通道冷板接口，支持與服務(wù)器冷板直連；而GB10仍采用標(biāo)準(zhǔn)LGA插槽設(shè)計(jì)，適配風(fēng)冷塔式工作站。這表明英偉達(dá)正將芯片級熱設(shè)計(jì)與基礎(chǔ)設(shè)施層解耦，Vera本質(zhì)是‘為45°C液冷而生’的專用計(jì)算單元。

對中國產(chǎn)業(yè)鏈而言，該方案帶來三類現(xiàn)實(shí)關(guān)注點(diǎn)：第一，冷卻液配方中的食品級丙二醇（propylene glycol）在國內(nèi)年產(chǎn)能約35萬噸，但高純度（≥99.9%）、低電導(dǎo)率（