德國(guó)半導(dǎo)體巨頭英飛凌（Infineon）近日宣布擴(kuò)展其CoolGaN BDS產(chǎn)品線，正式推出IGK048B041S和IGK120B041S兩款新型氮化鎵（GaN）器件。這一舉措旨在應(yīng)對(duì)便攜式電子設(shè)備日益嚴(yán)峻的空間限制，通過(guò)大幅減少元器件數(shù)量和縮小印刷電路板（PCB）尺寸，為智能手機(jī)、筆記本電腦及可穿戴產(chǎn)品的設(shè)計(jì)工程師提供更高效的解決方案。

單器件集成雙MOSFET功能，PCB面積縮減82%

據(jù)英飛凌介紹，這兩款新器件能夠?qū)鹘y(tǒng)電路中通常需要兩個(gè)背靠背連接的硅基MOSFET的功能整合至單一組件中。這種高度集成化設(shè)計(jì)不僅使元器件需求減半，更能將PCB占用面積Zui高縮減82%。在如今現(xiàn)代電子產(chǎn)品追求輕薄化的背景下，這一突破直接回應(yīng)了工程師們?cè)谟邢蘅臻g內(nèi)實(shí)現(xiàn)更高性能的迫切需求。

英飛凌氮化鎵業(yè)務(wù)負(fù)責(zé)人Johannes Schoiswohl指出：“隨著消費(fèi)設(shè)備不斷縮小而功耗需求持續(xù)增長(zhǎng)，工程師面臨著‘少中求多’的巨大壓力。新款CoolGaN BDS器件正是為了解決這一挑戰(zhàn)而生?！彼M(jìn)一步解釋，設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)可以利用現(xiàn)有的驅(qū)動(dòng)布局，避免高昂的重新設(shè)計(jì)成本，從而加速產(chǎn)品上市進(jìn)程，Zui終實(shí)現(xiàn)更精簡(jiǎn)、更具成本效益的電源路徑。

低導(dǎo)通電阻與高開關(guān)效率兼顧快充需求

在技術(shù)規(guī)格方面，這兩款器件基于先進(jìn)的氮化鎵技術(shù)構(gòu)建，支持5V柵極驅(qū)動(dòng)。它們分別采用2.1mm×2.1mm和1.7mm×1.2mm的晶圓級(jí)芯片尺寸封裝（WLCSP），完美契合空間受限的設(shè)計(jì)場(chǎng)景。其中，體積較大的IGK120B041S導(dǎo)通電阻低至4.2毫歐（mΩ），而更為緊湊的IGK048B041S則提供9毫歐的導(dǎo)通電阻。

相較于傳統(tǒng)解決方案，這些開關(guān)器件在開關(guān)效率和漏電流性能上均有顯著提升。其柵極電荷降低了約40%，這不僅有助于實(shí)現(xiàn)更快的開關(guān)速度，還能有效減少能量損耗，對(duì)于當(dāng)前主流的快充應(yīng)用場(chǎng)景尤為關(guān)鍵。此外，器件顯著降低的漏源極漏電流也有助于減少熱量產(chǎn)生，從而提升系統(tǒng)的整體可靠性。

與傳統(tǒng)依賴體二極管的硅基MOSFET不同，CoolGaN BDS器件具備電壓和電流的雙向阻斷能力。這一特性在USB過(guò)壓保護(hù)等應(yīng)用中至關(guān)重要，能有效防止意外反向電流流向下游組件，保護(hù)敏感元件。同時(shí)，該器件也適用于多電源軌系統(tǒng)中的負(fù)載開關(guān)和電源復(fù)用場(chǎng)景。

CoolGaN BDS G3系列陣容完善

隨著這兩款新品的加入，CoolGaN BDS 40V G3家族現(xiàn)由三款器件組成，覆蓋了從低功耗可穿戴設(shè)備到高性能便攜式計(jì)算系統(tǒng)的廣泛功率需求。目前，IGK048B041S和IGK120B041S已通過(guò)英飛凌授權(quán)的分銷渠道上市供應(yīng)。

歐洲市場(chǎng)對(duì)高效能電源管理芯片的需求正處于上升期，特別是在歐盟能效法規(guī)日益嚴(yán)格的背景下，采用氮化鎵等寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)成為提升終端產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵路徑。英飛凌此次推出的新品，不僅展示了其在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)積累，也為全球消費(fèi)電子行業(yè)應(yīng)對(duì)小型化與高性能的雙重挑戰(zhàn)提供了新的硬件基礎(chǔ)。