日本浜松光子學(xué)株式會(huì)社宣布，針對(duì)生成式AI等前沿半導(dǎo)體器件日益復(fù)雜的故障解析需求，成功開發(fā)出適用于PHEMOS-X系列故障解析裝置的新型發(fā)熱解析測(cè)量模塊——TD Imaging（熱動(dòng)態(tài)成像），并將于5月12日起正式接受國(guó)內(nèi)外訂單。

隨著人工智能、數(shù)據(jù)中心及自動(dòng)駕駛技術(shù)的飛速發(fā)展，半導(dǎo)體器件正加速向三維結(jié)構(gòu)化和微細(xì)化方向演進(jìn)。然而，傳統(tǒng)的高分辨率發(fā)射顯微鏡在應(yīng)對(duì)此類先進(jìn)器件時(shí)面臨嚴(yán)峻挑戰(zhàn)：原有的發(fā)光解析和IR-OBIRCH技術(shù)難以精準(zhǔn)定位故障點(diǎn)，而廣泛使用的LIT（鎖相熱成像）雖然靈敏度極高，但空間分辨率不足，往往無(wú)法將故障范圍縮小至物理分析所需的精度，導(dǎo)致工程師不得不采取破壞性手段進(jìn)行排查。

此次推出的TD Imaging技術(shù)是浜松光子學(xué)在激光、光學(xué)傳感器及圖像處理領(lǐng)域多年技術(shù)積累的結(jié)晶。該模塊通過(guò)向被測(cè)物體表面照射激光，并檢測(cè)反射率變化來(lái)捕捉局部發(fā)熱，實(shí)現(xiàn)了對(duì)發(fā)熱源的高靈敏度探測(cè)。其核心突破在于，相比傳統(tǒng)LIT技術(shù)，TD Imaging在保持同等靈敏度的同時(shí)，提供了更卓越的空間分辨率。這意味著它能夠直接鎖定金屬層下方的故障位置，無(wú)需破壞封裝即可實(shí)現(xiàn)微米級(jí)的精準(zhǔn)定位。

PHEMOS-X系列裝置現(xiàn)已支持同時(shí)搭載LIT與TD Imaging兩種探測(cè)器。在實(shí)際應(yīng)用中，工程師可先利用LIT進(jìn)行大范圍信號(hào)掃描，再切換至TD Imaging對(duì)疑似區(qū)域進(jìn)行高效、高精度的二次聚焦，將解析范圍縮小至2微米以內(nèi)。這種“廣域掃描+微區(qū)定位”的組合策略，將大幅提升物理故障分析的命中率，幫助行業(yè)解決以往難以發(fā)現(xiàn)的深層故障原因。

對(duì)于中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)而言，隨著國(guó)產(chǎn)先進(jìn)制程與AI芯片設(shè)計(jì)的快速迭代，對(duì)非破壞性、高精度失效分析設(shè)備的需求正變得愈發(fā)迫切。日本此次技術(shù)突破表明，在三維堆疊和微縮化工藝下，單純依賴傳統(tǒng)熱成像已顯不足，具備更高空間分辨率的混合解析方案將成為提升良率的關(guān)鍵工具，這為中國(guó)設(shè)備廠商在高端檢測(cè)領(lǐng)域的技術(shù)升級(jí)提供了重要的參考方向。