研究表明，高純硅粉粉體的純度以及粒度、晶體類型等參數對PVT法生長的碳化硅單晶質量和后續(xù)器件質量有一定的影響。

本文敘述了用PVT法合成單晶生長用高純碳化硅粉末的過程。

高純硅粉粉末的合成方法及展望。

　　高純硅粉的合成方法

　　高純硅粉的合成方法很多，可分為三種。

一種方法是固相法，其中有代表性的有碳熱還原法、自蔓延高溫合成法和機械粉碎法;

二種方法是液相法，其中有代表性的方法有溶膠-凝膠法和聚合物熱分解法。第三種方法是氣相法，包括化學氣相沉積法、等離子體法和激光誘導法。

高純硅粉各種配置方法的優(yōu)缺點

　　固相法合成碳化硅粉體經濟，原料來源廣泛，價格低廉，易于工業(yè)化生產。但是用這種方法合成的碳化硅粉末雜質含量高，質量低;高溫自蔓延法是利用高溫給反應物初始的熱量開始化學反應，然后利用自身化學反應的熱量使未反應的物質繼續(xù)完成化學反應。但由于 si 和 c 的化學反應放出的熱量較少，需要加入其他添加劑來維持自蔓延反應，這不可避免地導致雜質元素的引入。

　　目前，液相合成碳化硅粉的技術已經比較成熟，利用液相合成的碳化硅粉具有高純度和納米級的粉末，但是工藝比較復雜，而且容易產生對人體有害的物質。

　　氣相法合成的碳化硅粉純度高，粒徑小，是目前合成高純碳化硅粉的常用方法。但是這種合成方法成本高，收率低，不適合大規(guī)模生產。